|
扩展功能
|
|
| 本文信息 | |
 |
补充材料 |
|
PDF(942KB) |
|
[HTML全文] |
|
参考文献 |
| 服务与反馈 | |
|
加入引用管理器 |
|
引用本文 |
|
Email Alert |
|
文章反馈 |
|
浏览反馈信息 |
| 本文关键词相关文章 | |
|
电子束光刻 |
|
ZEP520电子抗蚀剂 |
|
反应离子刻蚀 |
|
纳米加工 |
| 本文作者相关文章 | |
|
李群庆 |
|
张立辉 |
|
陈墨??20范守善 |
| PubMed | |
|
Article by Li, Q. Q. |
|
Article by Z. L. H. |
|
Article by C. M. ??20F. S. S. |
纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究
李群庆*, 张立辉, 陈墨, 范守善
清华大学物理系清华-富士康纳米科技研究中心, 北京100084
对100 kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究, 针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化, 在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1:1, 线宽为50 nm的光栅图形. 针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究, 探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响, 最终在硅基底上获得了线宽为100 nm, 占空比为1:1, 深度为900 nm的光栅图形, 光栅的边壁波纹起伏小于5 nm. 100 nm以下深硅刻蚀技术的发展, 有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.
国家重点基础研究发展计划(“973”计划) (批准号: 2007CB935301)资助项目