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铝金属诱导晶化 |
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基于铝诱导结晶的多晶硅薄膜材料结构优化
王泽温*, 熊兵, 张李冲, 罗毅
清华大学电子工程系, 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室, 北京 100084
基于铝诱导结晶化(AIC)方法, 研究了不同溅射材料结构对多晶硅薄膜形成过程和材料特性的影响. 首先利用射频溅射Si和直流溅射Al的方法, 分别在普通玻璃衬底上沉积Si/Al/Glass, Al/Si/Glass, Si/Al/ /Si/Al/Glass三种不同结构的薄膜材料. 采用相同的低温退火(500℃)工艺, 对上述薄膜进行了多组时间下的退火 Al 诱导结晶处理. 对退火处理后的样品去除表面多余Al之后进行了X射线衍射、电子显微镜表面观察和霍耳迁移率测试, 分析其晶体质量特性和电学特性. 结果表明, 在足够长时间下, 3 种结构均可成功实现AIC多晶硅薄膜, 其中采用多重周期性结构的薄膜结晶速度最快, 并得到更优的结晶效果.
国家自然科学基金(批准号: 50706022)、国家高技术研究发展计划(“863”计划)(批准号: 2007AA05Z429)和博士后基金(批准号: 20080430405)资助项目